是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.04 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.1 A |
最大漏源导通电阻: | 5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFBG30 | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
IRFBG30PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFBG30-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFBG30PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFBG32 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFBG32-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFBG32-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFBL10N60A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFBL12N50A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFBL17N50L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB | |
IRFBL17N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFBL18N50K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |