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IRFBL17N50LPBF

更新时间： 2024-09-15 15:46:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRFBL17N50LPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.23	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	430 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBL17N50LPBF 数据手册

PD- 93929

PROVISIONAL

IRFBL17N50L

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Telecom and Data-Com off-Line SMPS

V_DSS

R_DS(on)

I_D

l Motor Control

500V

0.28Ω

17A

l UninterruptIble Power Supply

Benefits

l Low On-Resistance

l High Speed Switching

l Low Gate Drive Current Due to Improved

Gate Charge Characteristics

l Built in Fast Recovery Diode

l Improved Avalanche Ruggedness and

Dynamic dv/dt, Fully Characterized

Avalanche Voltage and Current

Super D²pak^TM

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

200

W/°C

Linear Derating Factor

1.6

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case )

260

°C

Diode Characteristics

Symbol

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

MOSFET symbol

I_S

Continuous Source Current

(Body Diode)

––– –––

showing the

I_SM

Pulsed Source Current

(Body Diode)

integral reverse

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse RecoveryCharge

Forward Turn-On Time

––– ––– 1.5

––– 180 –––

––– 420 –––

T_J= 25°C, I_S= 17A, V_GS= 0V

T_J= 125°C, I_F= 17A

Q_rr

t_on

nC di/dt = 100A/µs

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L_S+L_D)

Typical SMPS Topologies

Zero Voltage Switching Full and Half Bridge Circuits

www.irf.com

6/2/00

12 3

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与IRFBL17N50LPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBL18N50K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB
IRFBL3703	INFINEON	获取价格	Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters
IRFC014	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFC014R	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFC024	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFC024PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFC024R	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFC034	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRFC034R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| CHIP
IRFC044	ETC	获取价格

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