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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBG32-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBG32-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBL10N60A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFBL12N50A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFBL17N50L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFBL17N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBL18N50K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFBL3703 | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters |
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| IRFC014 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFC014R | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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