5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBG30-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBG30PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBG32 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBG32-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBG32-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFBL10N60A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFBL12N50A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFBL17N50L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFBL17N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBL18N50K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
