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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP40N06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
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| STP40N06FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
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| STP40N06L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB |
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| STP40N06LFI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220VAR |
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| STP40N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
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| STP40N10FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220VAR |
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| STP40N20 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
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| STP40N20FP | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| STP40N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP40N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.087 Ohm典型值、32 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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