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STP40N03L-20

更新时间： 2024-11-25 22:19:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR

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STP40N03L-20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STP40N03L-20 数据手册

STP40N03L-20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR

PRELIMINARY DATA

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STP40N03L-20

30 V

< 0.02 Ω

40 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.016 Ω

AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

HIGH CURRENT CAPABILITY

175^oC OPERATING TEMPERATURE

HIGH dV/dt CAPABILITY

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

TO-220

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

POWER MOTOR CONTROL

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

SYNCRONOUS RECTIFICATION

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_DGR

V_GS

I_D

± 15

I_D

_DM(• )

160

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.6

W/^oC

V/ns

^oC

dV/dt(¹) Peak Diode Recovery voltage slope

T_{st g}

Storage Temperature

-65 to 175

175

T_j

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/7

March 1996

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STP40N06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-220
STP40N06FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-220VAR
STP40N06L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-220AB
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