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STP3NC70ZFP

更新时间： 2024-02-09 06:08:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
10页 326K
描述
N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STP3NC70ZFP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：4.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP3NC70ZFP 数据手册

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STP3NC70Z  
STP3NC70ZFP  
N-CHANNEL 700V - 4.1Ω - 2.5A TO-220/TO-220FP  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP3NC70Z  
STP3NC70ZFP  
700V  
700V  
< 4.7Ω  
< 4.7Ω  
2.5 A  
2.5 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 4.1Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE TO - SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
■
■
■
2
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrat-  
ing back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capa-  
bility with higher ruggedness performance as re-  
quested by a large variety of single-switch  
applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP3NC70Z  
STP3NC70ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
700  
700  
± 25  
V
V
V
A
A
A
W
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
2.5  
1.6  
10  
2.5 (*)  
1.6 (*)  
10  
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
65  
35  
C
Derating Factor  
0.52  
0.28  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current (DC)  
±50  
1.5  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt (1)  
V
-
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
°C  
j
(1) I ≤2.5A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
June 2001  
1/10  
(*) Limited by Maximum Temperature allowed  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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