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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ISOWATT220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.81 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 180 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP3N100XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR |
|
| STP3N150 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Powe |
|
| STP3N50XI | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL enhancement mode power mos transistor |
|
| STP3N60FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR |
|
| STP3N60XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR |
|
| STP3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po |
|
| STP3N80XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR |
|
| STP3N90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-220 |
|
| STP3N90FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-220VAR |
|
| STP3NA100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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