5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 437K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 225 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| STP5NK100Z | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP38N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENS |
|
| STP38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STP3HNK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET |
|
| STP3LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
|
| STP3N100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP3N100FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP3N100XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR |
|
| STP3N150 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Powe |
|
| STP3N50XI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL enhancement mode power mos transistor |
|
| STP3N60FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
