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STP36NF06

更新时间： 2024-11-25 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 389K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET

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STP36NF06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP36NF06 数据手册

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STP36NF06  
STP36NF06FP  
N-CHANNEL 60V - 0.032 Ω - 30A TO-220/TO-220FP  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP36NF06  
STP36NF06FP  
60 V  
60 V  
<0.040 Ω  
<0.040 Ω  
30 A  
18 A(*)  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.032 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore  
a
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
remarkable manufacturing reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STP36NF06  
STP36NF06FP  
MARKING  
STP36NF06  
STP36NF06FP  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
PACKAGING  
TUBE  
TUBE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP36NF06  
STP36NF06FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
60  
60  
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
30  
21  
18(*)  
12  
A
A
D
C
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
120  
70  
72  
25  
A
W
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
tot  
C
Derating Factor  
0.47  
0.17  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
20  
200  
dv/dt  
E
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(*) Current Limited by Package  
(1) I ≤36A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 18 A, V = 45V  
j
D
DD  
October 2003  
1/9  
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 		N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET
STP36NF06FP STMICROELECTRONICS

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