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STP36N06L PDF预览

STP36N06L

更新时间： 2024-09-30 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 206K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP36N06L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP36N06L 数据手册

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STP36N06L  
STP36N06LFI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP36N05L  
STP36N05LFI  
60 V  
60 V  
< 0.04 Ω  
< 0.04 Ω  
36 A  
21 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.033 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP36N06L  
STP36N06LFI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 15  
V
36  
25  
21  
14  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
144  
120  
0.8  
144  
40  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.27  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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与STP36N06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP36N06LFI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N60M6 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO
STP36NE06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP36NE06 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
STP36NE06FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP36NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 36A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
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 		N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36NF06_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET
STP36NF06FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36NF06L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET

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