STI32N65M5

更新时间： 2024-11-23 12:28:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
22页	1278K
描述
N-channel 650 V, 0.095 Î©, 24 A, MDmeshâ¢ V Power MOSFET in DÂ²PAK, IÂ²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

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STI32N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	雪崩能效等级（Eas）：	650 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.119 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI32N65M5 数据手册

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5

STP32N65M5, STW32N65M5

N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V Power MOSFET

in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

Features

V_DSS

T_Jmax

Order codes

R_DS(on)max

I_D

STB32N65M5

STF32N65M5

STI32N65M5

STP32N65M5

STW32N65M5

710 V

< 0.119 Ω

24 A

24 A⁽¹⁾

24 A

D²PAK

I²PAK

TO-220FP

24 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ Worldwide best R

* area

DS(on)

TO-220

TO-247

■ Higher V

rating

DSS

■ High dv/dt capability

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

$ꢅꢆꢇ

■ 100% avalanche tested

Applications

■ Switching applications

'ꢅꢁꢇ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB32N65M5

STF32N65M5

STI32N65M5

STP32N65M5

STW32N65M5

32N65M5

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

Tube

TO-220

TO-247

Tube

October 2011

Doc ID 15316 Rev 4

1/22

www.st.com

12 3 4 5 6 7...22

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STI32N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP34N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T
STP32N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V, 0.095 Î©, 24 A, MDmeshâ¢ V

与STI32N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI33N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI33N65M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI340	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| TO-126
STI3400	ETC	获取价格	Video Processing/ENDEC for MPEG
STI341	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| TO-126
STI3430	ETC	获取价格	Audio/Video Decoder for MPEG
STI3439	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 350V V(BR)CEO \| TO-126
STI344	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| TO-126
STI3440	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| TO-126
STI350	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126

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