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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP32N05LFI
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STP32N05LFI

更新时间： 2024-02-25 05:31:32
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 203K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP32N05LFI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：128 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP32N05LFI 数据手册

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STP32N05L  
STP32N05LFI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP32N05L  
STP32N05LFI  
50 V  
50 V  
< 0.055 Ω  
< 0.055 Ω  
32 A  
19 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.045 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP32N05L  
STP32N05LFI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
50  
50  
V
V
± 15  
V
32  
22  
19  
13  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
128  
105  
0.7  
128  
40  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.27  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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与STP32N05LFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP32N06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06LFI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N55M5 STMICROELECTRONICS

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 		29A, 550V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
STP32N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V
STP32NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™
STP33N10 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP33N10FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP33N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET
STP33N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，

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