5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 550 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 29 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 116 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
|
| STP32NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh⢠|
|
| STP33N10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP33N10FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STP33N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
|
| STP33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STP33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
|
| STP33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STP3467 | STANSON |
获取价格 |
P Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
