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STP33N60DM2

更新时间： 2024-11-27 14:57:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
20页 554K
描述
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装

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STP33N60DM2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：570 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP33N60DM2 数据手册

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STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2  
Datasheet  
N-channel 600 V, 110 mΩ typ., 24 A MDmesh DM2  
Power MOSFET in D²PAK, TO‑220 and TO‑247 packages  
TAB  
Features  
V
@ T  
R
DS(on)  
max.  
I
D
Order code  
DS  
Jmax.  
3
1
STB33N60DM2  
D2PAK  
TAB  
STP33N60DM2  
650 V  
130 mΩ  
24 A  
STW33N60DM2  
•
•
•
•
•
•
Fast-recovery body diode  
3
3
2
2
TO-220  
TO-247  
1
1
Extremely low gate charge and input capacitance  
Low on-resistance  
D(2, TAB)  
100% avalanche tested  
Extremely high dv/dt ruggedness  
Zener-protected  
G(1)  
Applications  
•
Switching applications  
S(3)  
AM01476v1_tab  
Description  
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM2 fast  
recovery diode series. They offer very low recovery charge (Qrr) and time (trr)  
combined with low RDS(on), rendering them suitable for the most demanding high  
efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.  
Product status link  
STB33N60DM2  
STP33N60DM2  
STW33N60DM2  
DS10564 - Rev 3 - October 2020  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.st.com  
1234567...20

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