是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.81 | 雪崩能效等级(Eas): | 900 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.13 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 190 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPI60R125CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOSTM Power Transistor | |
IPW60R125CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor | |
IPP60R125CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ | |
STP30NS15LFP | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH | |
STP310N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET | |
STP315N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MO | |
STP31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET, | |
STP-32AMP4 | POWERVOLT |
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The Power Supply for Stepping Motors | |
STP32N05L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | |
STP32N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | |
STP32N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | |
STP32N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |