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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 105 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 128 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP32N05LFI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N55M5 | STMICROELECTRONICS |
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29A, 550V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
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| STP32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
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| STP32NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh⢠|
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| STP33N10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP33N10FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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