STP30NM60ND

更新时间： 2024-01-31 13:44:53

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
页数	文件大小	规格书
15页	290K
描述
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

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STP30NM60ND 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.385 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STP30NM60ND 数据手册

STP/F30NM60ND-STW30NM60ND

STB30NM60ND-STI30NM60ND

N-channel 600V - 0.11Ω - 25A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK/TO-247

FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode)

Preliminary Data

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)Max

I_D

STB30NM60ND

STI30NM60ND

STF30NM60ND

STP30NM60ND

STW30NM60ND

600V

< 0.13Ω

25A

D²PAK

TO-220

25A⁽¹⁾

TO-220FP

25A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ The world’s best R

*in TO-220 amongst

DS(on)

the fast recovery diode devices

I²PAK

TO-247

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Application

■ Switching applications

Description

The FDmesh™ II series belongs to the second

generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company's strip layout

and associates all advantages of reduced on-

resistance and fast switching with an intrinsic fast-

recovery body diode.It is therefore strongly

recommended for bridge topologies, in particular

ZVS phase-shift converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB30NM60ND

STI30NM60ND

STF30NM60ND

STP30NM60ND

STW30NM60ND

30NM60ND

D²PAK

I²PAK

Tape & reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

November 2007

Rev 1

1/15

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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STP30NM60ND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB30NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
STW30NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STP310N10F7	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 100 V, 2.3 mÎ© typ., 180 A STripFET
STP315N10F7	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MO
STP31N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，
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STP32N05L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N05LFI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06LFI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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