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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 1656865 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | ST_D2PAK |
| Samacsys Released Date： | 2018-12-12 00:08:39 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 900 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.385 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
|
| STW30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB30NS15 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GA |
|
| STB30NS15T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
| STB31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STB32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
|
| STB32N65M5TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
24A, 650V, 0.119ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK |
|
| STB3300 | ETC |
获取价格 |
RF Modulator/Demodulator |
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| STB33N10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
|
| STB33N10-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN |
|
| STB33N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
|
| STB33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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