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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 13页 | 824K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET⢠VII DeepGATE⢠Power MOSFET in a TO-220 package | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 43 weeks 2 days |
| 风险等级： | 2.27 | 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 315 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STH310N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 100 V, 1.9 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK |
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| STH310N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 100 V, 1.9 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK |
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| IPB027N10N3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP315N10F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MO |
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| STP31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STP-32AMP4 | POWERVOLT |
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The Power Supply for Stepping Motors |
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| STP32N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP32N55M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
29A, 550V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
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| STP32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
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