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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPI60R125CP
IPI60R125CP PDF预览

IPI60R125CP

更新时间： 2024-10-01 11:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 271K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPI60R125CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：708 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：82 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPI60R125CP 数据手册

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IPI60R125CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ Tj,max  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
650  
0.125  
53  
V
• Lowest figure-of-merit RONxQg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
PG-TO262  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
CoolMOS CP is specially designed for:  
• Hard switching topologies, for Server and Telecom  
Type  
Package  
Marking  
IPI60R125CP  
PG-TO262  
6R125P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
25  
16  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
82  
I D,pulse  
E AS  
I D=11 A, V DD=50 V  
I D=11 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
708  
1.2  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
11  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...480 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
208  
-55 ... 150  
static  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.0  
page 1  
2007-11-20  
1234567...10

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IPI60R125CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB30NM60N STMICROELECTRONICS

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