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STP30NM30N PDF预览

STP30NM30N

更新时间： 2024-01-26 03:53:33
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 291K
描述
N-channel 300V - 0.078ヘ - 30A - TO-220 Ultra low gate charge MDmesh⑩ II Power MOSFET

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STP30NM30N 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：900 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP30NM30N 数据手册

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STP30NM30N  
N-channel 300V - 0.078Ω - 30A - TO-220  
Ultra low gate charge MDmesh™ II Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP30NM30N  
300V  
<0.090Ω  
30A  
■ Worldwide lowest gate charge  
■ High dv/dt avalanche capabilities  
■ Low input capacitance  
3
2
1
TO-220  
■ Low gate resistance  
Description  
This 300V Power MOSFET with a new advanced  
layout brings all unique advantages of MDmesh™  
technology to medium voltages. The device  
exhibits worldwide lowest gate charge for any  
given on-resistance. Its use is therefore ideal as  
primary side switch for DC-DC converters as well  
as for switch mode power supply allowing higher  
efficiencies and system miniaturization.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching application  
Order code  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STP30NM30N  
P30NM30N  
TO-220  
Tube  
April 2007  
Rev 1  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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与STP30NM30N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP30NM50N STMICROELECTRONICS

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