是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.21 | 雪崩能效等级(Eas): | 55 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏极电流 (ID): | 6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.036 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 95 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP39N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FDP39N20 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,200 V,39 A,66 mΩ,TO-2 | |
FDP39N20_07 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FDP3N50NZ | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDP-3XX-T | ADAM-TECH |
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Tin | |
FDP4020 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
FDP4020P | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
FDP4020P_00 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
FDP4020PS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
FDP4030L | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |