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FDP3672_NL

更新时间： 2024-11-29 20:00:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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FDP3672_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：48 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：105 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.9 A最大漏极电流 (ID)：5.9 A
最大漏源导通电阻：0.033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP3672_NL 数据手册

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September 2003  
FDP3672  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
105V, 41A, 33mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 25mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 41A  
Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
Optimized efficiency at high frequencies  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Electronic Valve Train Systems  
Formerly developmental type 82760  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
105  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 62oC/W)  
Pulsed  
41  
31  
A
A
ID  
5.9  
A
Figure 4  
48  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
mJ  
W
W/oC  
oC  
135  
PD  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 (Note 2)  
1.11  
62  
oC/W  
oC/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP3672 Rev. A3  
1234567...10

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