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FDP3652_NL

更新时间： 2024-11-29 20:11:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 197K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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FDP3652_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
雪崩能效等级（Eas）：182 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP3652_NL 数据手册

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October 2003  
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100V, 61A, 16mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 14mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A  
Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Electronic Valve Train Systems  
Formerly developmental type 82769  
SOURCE  
DRAIN  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
S
GATE  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
SOURCE  
TO-263AB  
DRAIN  
TO-220AB  
FDP SERIES  
TO-262AA  
FDI SERIES  
(FLANGE)  
DRAIN  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
100  
±20  
V
V
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V) with RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
61  
A
ID  
43  
9
A
A
Figure 4  
182  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
150  
PD  
Derate above 25oC  
1.0  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263, TO-262  
1.0  
62  
43  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263, TO-262 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 Rev. B1  
1234567...11

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FDP3652_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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