生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 375 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 19 A | 最大漏源导通电阻: | 0.13 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP26N40 | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ | |
FDP26N40 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,400V,26A,160mΩ,TO-220 | |
FDP2710 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDP2710 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 250V,50A,42.5mΩ | |
FDP2710_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 250V, 50A, 47m | |
FDP2710_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDP2710-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,250V,50A,47mΩ | |
FDP2710-SW82258 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDP28G | ADAM-TECH |
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IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE | |
FDP28G30 | ADAM-TECH |
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DIP Connector, 28 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato |