5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP2552_NL
FDP2552_NL PDF预览

FDP2552_NL

更新时间： 2024-11-26 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 250K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDP2552_NL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.2Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：390 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP2552_NL 数据手册

 浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP2552_NL的Datasheet PDF文件第7页 
October 2002  
FDB2552 / FDP2552  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
150V, 37A, 36mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 32mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A  
Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Electronic Valve Train Systems  
Formerly developmental type 82869  
D
S
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
(FLANGE)  
TO-263AB  
FDB SERIES  
TO-220AB  
FDP SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
150  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V) with RθJA = 43oC/W  
Pulsed  
37  
A
ID  
26  
5
A
A
Figure 4  
390  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
150  
W
PD  
1.0  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263  
1.0  
62  
43  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB2552 / FDP2552 Rev. B  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与FDP2552_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP2570 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2570S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP2572 TRIPATH

获取价格

 		STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO
FDP2572 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз
FDP2572 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，29A，54mΩ
FDP2572_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54m
FDP2572_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP2614 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2614 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，200V，62A，27mΩ
FDP2670 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel PowerTrench MOSFET

与FDP2552_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证