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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 375 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 93 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDB2570 | FAIRCHILD |
完全替代  |
150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| NTD6415ANLT4G | ONSEMI |
功能相似 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L |
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| FDD3690 | FAIRCHILD |
功能相似 |
100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP2570S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDP2572 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |
|
| FDP2572 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
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| FDP2572 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，29A，54mΩ |
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| FDP2572_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54m |
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| FDP2572_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP2614 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP2614 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，200V，62A，27mΩ |
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| FDP2670 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP2670J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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