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FDP2614

更新时间： 2024-11-27 11:11:55

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FDP2614 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.97
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1055269	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	FDP2614	Samacsys Released Date：	2019-06-08 11:52:37
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	145 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	62 A	最大漏极电流 (ID)：	62 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	260 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP2670	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2670J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP26N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ
FDP26N40	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，400V，26A，160mΩ，TO-220
FDP2710	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2710	ONSEMI	获取价格	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 250V，50A，42.5mΩ
FDP2710_10	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 250V, 50A, 47m
FDP2710_F085	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP2710-F085	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，50A，47mΩ
FDP2710-SW82258	FAIRCHILD	获取价格	Transistor