是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.79 |
雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A | 最大漏极电流 (ID): | 45 A |
最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 90 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F | |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 | |
STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP20G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE | |
FDP20GGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator | |
FDP20N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET | |
FDP20N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FDP20N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,20 A,230 mΩ,TO- | |
FDP20N50_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FDP20N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26ヘ | |
FDP20N50F | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,20 A,260 | |
FDP20N50F_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26Ω | |
FDP20N50T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Factor Correction Converter Design |