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FDP18N50

更新时间： 2024-11-26 03:12:11
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 1033K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FDP18N50 数据手册

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October 2006  
TM  
UniFET  
FDP18N50 / FDPF18N50  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
18A, 500V, RDS(on) = 0.265Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 45 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
S
TO-220  
FDP Series  
G D  
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP18N50 FDPF18N50  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
18  
10.8  
18 *  
10.8 *  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
72  
72 *  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
±30  
945  
18  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23  
mJ  
V/ns  
4.5  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
235  
58  
W
- Derate above 25°C  
1.88  
0.47  
W/°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP18N50 FDPF18N50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.53  
0.5  
2.15  
--  
RθCS  
RθJA  
62.5  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP18N50 / FDPF18N50 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FDP18N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与FDP18N50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP18N50_0704 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FDP18T ADAM-TECH

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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP18T30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 18 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDP18TGY ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 18 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP19N40 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω
FDP19N40 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，400V，19A，240mΩ，TO-220
FDP19N40_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω
FDP20AN06A0 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDP20G ADAM-TECH

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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP20GGY ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator

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