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FDP16N50U

更新时间： 2024-11-26 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 826K
描述
N-Channel UniFETTM Ultra FRFET MOSFET

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FDP16N50U 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：610 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP16N50U 数据手册

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April 2013  
FDP16N50U / FDPF16N50UT  
N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET  
500 V, 15 A, 480 mΩ  
Features  
Description  
R
DS(on) = 370 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 7.5 A  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET  
family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is  
tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching  
performance and higher avalanche energy strength. UniFET Ultra  
FRFETTM MOSFET has much superior body diode reverse recovery  
performance. Its trr is less than 50nsec and the reverse dv/dt immunity is  
20V/nsec while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/  
nsec respectively. Therefore UniFET Ultra FRFET MOSFET can remove  
additional component and improve system reliability in certain  
applications that require performance improvement of the MOSFET’s  
body diode. This device family is suitable for switching power converter  
applications such as power factor correction (PFC), flat panel display  
(FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.  
•
•
Low Gate Charge (Typ. 32 nC)  
Low Crss (Typ. 20 pF)  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
•
•
•
•
Applications  
• LCD/LED/PDP TV  
• Lighting  
• Uninterruptible Power Supply  
D
G
D
S
G
D
G
S
TO-220F  
TO-220  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP16N50U FDPF16N50UT Unit  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
15  
9
15*  
9*  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
60  
60*  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
610  
15  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
20  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
20  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
200  
38.5  
0.3  
PD  
Power Dissipation  
1.59  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP16N50U FDPF16N50UT Unit  
RJC  
RCS  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
0.63  
0.5  
3.3  
-
oC/W  
62.5  
62.5  
1
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP16N50U / FDPF16N50UT Rev. C0  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP16T ADAM-TECH

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FDP18N20F ONSEMI

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FDP18N50_0704 FAIRCHILD

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