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FDP15N50_NL

更新时间： 2024-11-23 18:48:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 349K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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FDP15N50_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：760 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP15N50_NL 数据手册

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April 2013  
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50  
N-Channel UniFETTM MOSFET  
500 V, 15 A, 380 mΩ  
Description  
Features  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high  
voltage MOSFET family based on planar stripe and  
DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide better switching  
performance and higher avalanche energy strength.  
This device family is suitable for switching power  
converter applications such as power factor correction  
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and  
electronic lamp ballasts.  
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement  
( Typ. 33 nC)  
• Improved Gate, avalanche and high reapplied dv/dt  
ruggedness  
• Reduced RDS(on) ( 330mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 7.5 A)  
• Reduced Miller capacitance and low Input capacitance  
( Typ. Crss = 16 pF)  
• Improved switching speed with low EMI  
• 175oC rated junction temperature  
Applications  
• Lighting  
• Uninterruptible Power Supply  
• AC-DC Power Supply  
D
D
G
G
G
D
D
G
S
S
TO-220  
S
TO-247  
TO-263  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
500  
Unit  
V
V
DSS  
V
Gate to Source Voltage  
±30  
V
GS  
Drain Current  
o
15  
11  
60  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
I
D
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V)  
C
GS  
1
Pulsed  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
300  
2
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Soldering Temperature for 10 seconds  
-55 to 175  
C
J
STG  
o
300 (1.6mm from case)  
C
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
0.50  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-247)  
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-220, TO-263)  
40  
62  
C/W  
C/W  
o
www.fairchildsemi.com  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 Rev. C0  
123456

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