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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 132 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 57 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 57 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 228 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP16CN10LG | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP150N10A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15m |
|
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，50A，15mΩ |
|
| FDP15N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω |
|
| FDP15N40 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，400V，15A，300mΩ，TO-220 |
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| FDP15N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET |
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| FDP15N50_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP15N65 | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
|
| FDP15N65_0610 | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
|
| FDP15N65_0704 | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
|
| FDP16AN08A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
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