IPP16CN10LG

更新时间： 2024-10-01 11:08:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	321K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP16CN10LG 数据手册

IPP16CN10L G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

15.7

• N-channel, logic level

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPP16CN10L G

Package

Marking

PG-TO220-3

16CN10L

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

216

105

I _D=54 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=53 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

100

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

-55 ... 175

55/175/56

²⁾see figure 3

jmax

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

Rev. 1.01

page 1

2007-10-01

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

IPP16CN10LG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDP150N10	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET100V, 57A, 15mヘ

与IPP16CN10LG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP16CN10LGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 100V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP16CN10N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP16CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP16CN10NG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPP16CNE8N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP16CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP17N25S3-100	INFINEON	获取价格	车规级MOSFET
IPP180N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPP180N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPP180N10N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me