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IPP200N15N3 G

更新时间： 2024-10-02 11:12:59

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英飞凌 - INFINEON		/
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12页	993K
描述
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。

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IPP200N15N3 G 数据手册

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G

IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

150

• N-channel, normal level

R_DS(on),max

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB200N15N3 G

IPD200N15N3 G

IPI200N15N3 G

IPP200N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

200N15N

PG-TO252-3

200N15N

PG-TO262-3

200N15N

PG-TO220-3

200N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

200

170

I _D=50 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=120 V,

di /dt =100 A/µs,

T _j,max=175 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

150

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

Rev. 2.07

page 1

2014-01-09

12 3 4 5 6 7...12

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