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IPP220N25NFD

更新时间： 2024-11-27 14:55:59

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英飞凌 - INFINEON		开关放大器电机电信音频放大器二极管
页数	文件大小	规格书
12页	1292K
描述
200V、250V 和 300V 的 OptiMOS? 快速二极管（FD）针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件是电信、工业电源、 D 类音频放大器、电机控制和 DC-AC 逆变器等硬开关应用的理想选择。

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IPP220N25NFD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.32	Samacsys Description：	Infineon IPP220N25NFD N-channel MOSFET Transistor, 61 A, 250 V, 3-Pin TO-220
雪崩能效等级（Eas）：	610 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	61 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	244 A	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TMFDꢀPower-Transistor,ꢀ250ꢀV

IPP220N25NFD

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP22N03S4L-15	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP22N03S4L15AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0149ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP230N06L3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP230N06L3GHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP230N06L3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP25N06S3-25	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP25N06S3L-22	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP25N06S3L22AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0216ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP260N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP26CN10N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor