5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0149 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP230N06L3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPP230N06L3GHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP230N06L3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP25N06S3-25 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP25N06S3L-22 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP25N06S3L22AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0216ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP260N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPP26CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP26CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP26CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
