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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 13 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP230N06L3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP25N06S3-25 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPP25N06S3L-22 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP25N06S3L22AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0216ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP260N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPP26CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP26CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP26CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP26CNE8N | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP26CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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