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FDP150N10A-F102

更新时间： 2024-11-24 11:16:11

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
9页	1041K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，50A，15mΩ

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FDP150N10A-F102 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.94
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	91 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

FDP150N10A-F102 数据手册

FDP150N10A

N 沟道PowerTrench MOSFET

说明

100 V、50 A、15 m

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench^®工艺

生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越

开关性能而定制的。

特性

•

R_DS(on)= 12.5 m (Typ.)@V_GS= 10 V, I_D= 50 A

• 快速开关速度

应用

• 低栅极电荷，Q_G=16.2 nC （典型值）

• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)

• 高功率和高电流处理能力

• 符合RoHS 标准

• 用于ATX/ 服务器/ 电信PSU 的同步整流

• 电机驱动和不间断电源

• 微型光伏逆变器

TO-220

最大绝对额定值 T_C=25°C，除非另有说明。

FDP150N10A0-F102

符号

参数

单位

V_DSS

V_GSS

100

±20

漏极－源极电压

栅极－源极电压

- 连续(T_C=25°C)

- 连续(T_C=100°C)

- 脉冲

I_D

漏极电流

I_DM

200

漏极电流

（说明1）

（说明2）

（说明3）

E_AS

dv/dt

84.6

6.0

单脉冲雪崩能量

二极管恢复dv/dt 峰值

V/ns

(T_C= 25°C)

P_D

功耗

- 降低至25°C 以上

0.61

-55 至+175

300

W/°C

°C

T_J, T_STG

T_L

工作和存储温度范围

°C

用于焊接的最大引线温度，距离外壳1/8"，持续5 秒

热性能

FDP150N10A-F102

符号

R_JC

参数

结至外壳热阻最大值

单位

1.6

°C/W

R_JA

62.5

结至环境热阻最大值

Publication Order Number:

FDP150N10ACN/D

December-2017,Rev 3

12 3 4 5 6 7...9

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