5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP12N50F
FDP12N50F PDF预览

FDP12N50F

更新时间： 2024-11-26 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 697K
描述
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDP12N50F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：456 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：165 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP12N50F 数据手册

 浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP12N50F的Datasheet PDF文件第7页 
December 2007  
TM  
UniFET  
FDP12N50F / FDPF12N50FT  
tm  
N-Channel MOSFET  
500V, 11.5A, 0.7Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.59Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A  
Low gate charge ( Typ. 21nC)  
Low Crss ( Typ. 11pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improve dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP12N50F FDPF12N50FT Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- P uls ed  
11.5  
6.9  
46  
11.5*  
6.9*  
46*  
ID  
D r a in C u r r e n t  
A
IDM  
D rai n Cur rent  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
456  
11.5  
16.5  
4.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
165  
42  
PD  
Power Dissipation  
1.33  
0.33  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP12N50F FDPF12N50FT Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.75  
0.5  
3.0  
-
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP12N50F / FDPF12N50FT Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与FDP12N50F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP12N50NZ FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UniFET II MOSFETï€
FDP12N50NZ ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m
FDP12N60NZ FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650
FDP12N60NZ ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，12 A，650 mΩ，
FDP13AN06A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
FDP13AN06A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm
FDP13N40 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 400V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP13N50F FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54ヘ
FDP13N50F_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54Ω
FDP14AN06LA FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз

与FDP12N50F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证