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FDP14AN06LA0

更新时间： 2024-11-22 22:15:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 244K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз

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FDP14AN06LA0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263AB, 2 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：46 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：67 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP14AN06LA0 数据手册

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January 2004  
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 60A, 14.6mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 12.8mΩ(Typ.), VGS = 5V, ID = 60A  
Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Injection Systems  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 83557  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
S
TO-220AB  
FDP SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 5V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 5V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
67  
A
ID  
60  
10  
A
A
Figure 4  
46  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
125  
W
PD  
0.83  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
1.2  
62  
43  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 Rev. B  
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FDP14AN06LA0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
SPA04N80C3 INFINEON

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 Cool MOS⑩ Power Transistor

与FDP14AN06LA0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP14G ADAM-TECH

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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP14G30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDP14GGY ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP14N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FDP14N60 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP14T ADAM-TECH

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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP-14-T ADAM-TECH

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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP14T30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDP14TGY ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP150N10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET100V, 57A, 15mヘ

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