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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 335 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
|
| FDP12N50 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，11.5A，650mΩ |
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| FDP12N50_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65Ω |
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| FDP12N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
|
| FDP12N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFETï |
|
| FDP12N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m |
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| FDP12N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650 |
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| FDP12N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，12 A，650 mΩ， |
|
| FDP13AN06A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
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| FDP13AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm |
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