是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
雪崩能效等级(Eas): | 56 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 62 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0135 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP65NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 ST | |
STP60NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220 | |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP13N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 400V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDP13N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54ヘ | |
FDP13N50F_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54Ω | |
FDP14AN06LA | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз | |
FDP14AN06LA0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз | |
FDP14G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE | |
FDP14G30 | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato | |
FDP14GGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator | |
FDP14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET | |
FDP14N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |