是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TO-220AB, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.42 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 280 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 85 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0105 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 240 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP85N10-10_06 | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | |
SUP85N10-10P-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SUP85N10-10P-GE3 | VISHAY |
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N-CH MOSFET TO-220 100V 10.5MOHM @ 10V - Rail/Tube | |
SUP85N15-21 | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUP90100E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | |
SUP90140E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90140E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SUP90142E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90220E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET |