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SUP80N15-20L-E3

更新时间： 2024-09-13 20:09:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	70K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP80N15-20L-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

SUP80N15-20L-E3 数据手册

SUP80N15-20L

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 150-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D 175_C Junction Temperature

D PWM Optimized With Low Threshold

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.020 @ V = 10 V

150

0.022 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D Primary Side Switch

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D S

Top View

Ordering Information: SUP80N15-20L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

150

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

180

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

101

Maximum Power Dissipation

= 25_C

300

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient (Free Air)

Junction-to-Case

62.5

0.5

thJA

thJC

C/W

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 72242

S-31986—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

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