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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUP85N02-03-E3
SUP85N02-03-E3 PDF预览

SUP85N02-03-E3

更新时间： 2024-09-12 21:54:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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SUP85N02-03-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A
最大漏极电流 (ID)：85 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP85N02-03-E3 数据手册

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SUP/SUB85N02-03  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
0.003 @ V = 4.5 V  
GS  
85  
85  
85  
0.0034 @ V = 2.5 V  
GS  
20  
0.0038 @ V = 1.8 V  
GS  
D
TO-220AB  
TO-263  
G
DRAIN connected to TAB  
G
D S  
Top View  
Ordering Information:  
SUB85N02-03—E3 (Lead Free)  
G D  
Top View  
S
S
Ordering Information:  
SUP85N02-03—E3 (Lead Free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
"8  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 100_C  
85  
C
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
D
J
T
85  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
240  
DM  
I
30  
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
45  
mJ  
W
AR  
a
Power Dissipation  
T
= 25_C  
P
250  
C
D
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
PCB Mount (TO-263)  
40  
62.5  
0.6  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
R
R
thJA  
Free Air (TO-220AB)  
_C/W  
thJC  
Notes:  
a. See SOA curve for voltage derating.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 71421  
S-32619—Rev. B, 29-Dec-03  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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