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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 184392 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220AB (Height 4.65) | Samacsys Released Date： | 2020-05-07 07:05:42 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 187 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP75P03-08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUP75P03-08-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SUP75P05-08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUP75P05-08-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP80090E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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| SUP80N15-20L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) 175∑C MOSFET |
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| SUP80N15-20L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUP85N02-03 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
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| SUP85N02-03-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
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| SUP85N02-06-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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