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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUP75N06-08
SUP75N06-08 PDF预览

SUP75N06-08

更新时间： 2024-01-30 01:11:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SUP75N06-08 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP75N06-08 数据手册

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SUP/SUB75N06-08  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
a
60  
0.008  
75  
D
TO-220AB  
TO-263  
G
DRAIN connected to TAB  
G
D S  
Top View  
G D S  
S
SUB75N06-08  
Top View  
N-Channel MOSFET  
SUP75N06-08  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
"20  
V
a
T
= 25_C  
= 125_C  
75  
C
Continuous Drain Current  
(T = 175_C)  
J
I
D
T
55  
240  
60  
C
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
Avalanche Current  
I
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
280  
mJ  
c
T
= 25_C (TO-220AB and TO-263)  
250  
C
Power Dissipation  
P
D
W
d
T
= 25_C (TO-263)  
3.7  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
d
PCB Mount (TO-263)  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
R
thJA  
thJC  
Free Air (TO-220AB)  
62.5  
0.6  
_C/W  
R
Notes  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70283  
S-05111—Rev. F, 10-Dec-01  
www.vishay.com  
2-1  
1234

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SUP75N06-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP10P6F6 STMICROELECTRONICS

功能相似

 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ„
NTE2387 NTE

功能相似

 MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
SPP20N60S5 INFINEON

功能相似

 Cool MOS⑩ Power Transistor

与SUP75N06-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUP75N06-08-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUP75N06-12L VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUP75N06L VISHAY

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 		Transistor
SUP75N08 VISHAY

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