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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 7.85 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167913 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | PG-TO220 | Samacsys Released Date： | 2019-10-15 11:54:00 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP10P6F6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP20N60S5_01 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP20N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS? Power Transistor |
|
| SPP20N60S5HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP20N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP20N65C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 |
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| SPP20N65C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| SPP20N65C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SPP20N65C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SPP21N10 | ROCHESTER |
获取价格 |
21A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
|
| SPP21N10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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